已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm2/V.s,
Cv=3x10-8F/cm2,W/l=1/1.47,|VA|=200V,VDS=10V,工作在饱和区,试求:(1)漏极电流IDQ分别为1mA、10mA时相应的跨导gm,输出电阻rds,放大因子μ.(2)当VDS增加10%时,相应的IDQ值.(3)画出小信号电路模型.
A.提供7*8专人监控
B.提供7*24专人监控
C.提供7*8专人监控并配合故障定位
D.提供7*24专人监控并配合故障定位
A.空穴,由源端到漏端
B.空穴,由漏端到源端
C.电子,由源端到漏端
D.电子,由漏端到源端
A.I3超高IO型
B.C3通用计算增强型
C.H3高性能计算型
D.M3内存优化型