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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

施主型界面态主要是由()引起的,受主型界面态主要是由()引起的。

A.悬挂键,晶格失配

B.悬挂键及晶格失配,杂质

C.杂质及悬挂键,晶格失配

D.杂质,悬挂键及晶格失配

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第1题
真实表面既有受主型能级又有施主型能级,而清洁表面只有受主型能级。()
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第2题
实际上,半导体中通常同时含有施主和受主杂质,当施主数量大于受主时,半导体是n型的;反之,当受主数量大于施主时,则是p型的。()
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第3题
如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主杂质浓度和受主杂质浓度相等,会造成什么结果?()

A.施主杂质和受主杂质之间高度补偿,半导体中存在大量杂质,特性很差

B.施主杂质和受主杂质完全补偿掉,结果是没有杂质,类似本征半导体

C.通过杂质的补偿作用,半导体变为N型半导体

D.通过杂质的补偿作用,半导体变为P型半导体

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第4题
在一块半导体中常常同时含有施主和受主杂质,当施主数量超过受主时,半导体呈现出()型号。

A、 P型

B、 N型

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第5题
以n型半导体MIS结构为例,当在栅极上加上负电压时,随着电压的加大,吸引到半导体表面的()浓度迅速增加,形成反型层。

A.电子

B.电离施主

C.空穴

D.电离受主

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第6题
如果计入表面态的影响,当表面态为施主态,且态密度足够大时,关于异质结能带结构的描述,正确的是?()

A.此时异质结界面两边的状态完全由界面态电荷决定,与功函数等没有关系

B.对于 n 型半导体,在半导体表面形成很薄的多子积累层

C.对于 p 型半导体,在半导体表面形成很厚的耗尽层

D.对于n型半导体,在半导体表面形成很厚的耗尽层

E.对于p 型半导体,在半导体表面形成很薄的多子积累层

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第7题
本征激发指的是哪种电子跃迁?()

A.价带的电子跃迁到导带

B.导带的电子跃迁到价带

C.施主态上的电子跃迁到导带

D.受主态上的电子跃迁到价带

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第8题
在室温下,锗的有效态密度NC=1.05x1019cm-3, NV=5. 7x1018cm-⊕

在室温下,锗的有效态密度NC=1.05x1019cm-3, NV=5. 7x1018cm-3,及Eg=0. 76eV,求温度为300K和500K时,含施主浓度ND=5x1015cm-3,受主浓度NA=2x 109cm-3,的锗中电子及空穴浓度为多少?

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第9题
对于受主型能级,无电子填充时表面态是()的,有电子填充时表面态是()的。

A.电中性,带正电

B.带负电,电中性

C.电中性,带负电

D.带正电,电中性

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第10题
关于甲型HIN1流感,错误的是()

A.由甲型H1N1流感病毒引起

B.传染源主要是患者

C.发病机制与流行性感冒发病机制基本一致

D.发热及全身中毒症状同流行性感冒相比不重

E.人流感病毒、猪流感病毒、禽流感病毒通过感染猪后发生基因重组而形成的“混合体”

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