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[主观题]

在图所示电路中,已知三极管的β=100,rbe=10.3kΩ,|VEE|=Vcc=15V,Rc=36kΩ,Re=56kΩ,R=2.7kΩ,Rw=100Ω,Rw的滑动端

在图所示电路中,已知三极管的β=100,rbe=10.3kΩ,|VEE|=Vcc=15V,Rc=36kΩ,Re=56kΩ,R=2.7kΩ,Rw=100Ω,Rw的滑动端处于中点,RL=18kΩ。

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第1题
在题3-2-35图所示电路中,已知Xc=l00Ω,开关S闭合前与闭合后,电流表A的读数均为4A,则XL应为()。

A.25Ω

B.200Ω

C.100Ω

D.50Ω

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第2题
电路如题图6-2所示,已知三极管为硅管,UBE=0.7V,β=50,ICBO忽略不计,若希望Ic=
2mA,试求(a)图的R和(b)图的Rb值,并将两者比较。

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第3题
在图3-23所示的电路中,已知试求I3

在图3-23所示的电路中,已知试求I3

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第4题

在图中所示放大电路,已知Ucc=6V、Rc=2KΩ、RB=200Kω、β=50若R。

A.放大

B.断开,三极管工作在()状态

C.截止

D.饱和

E.导通

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第5题
电路如题10-8图所示,已知两个线圈的参数为:R1=R2=100Ω,L1=3H,L2=10H,M=5H,正
弦电源的电压U=220V,ω= 100rad/s。

(1)试求两个线图端电压,并作出电路的相量图;

(2)证明两个耦合电感反向串联时不可能有L1+L2=2M≤0;

(3)电路中串联多大的电容可使同相?

(4)画出该电路的去耦等效电路。

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第6题
在图3.17所示电路中,已知R=2Ω,Z1=-j10Ω,Z2=(40+j30)Q,

在图3.17所示电路中,已知R=2Ω,Z1=-j10Ω,Z2=(40+j30)Q,

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第7题
在图NPS4-7(a)所示三极管混频原理电路中,若设输出中频频率f1=1MHz,输入信号vs(t)=0.01
在图NPS4-7(a)所示三极管混频原理电路中,若设输出中频频率f1=1MHz,输入信号vs(t)=0.01

sin(2π×106)(V),直流偏置电压VBBO=0.6V,本振电压vL(t)=0.1sin(2π×3×106t)(V),电源电压Vcc=12V,晶体管T选用Q2N2222。(1)选择L和C值,使输出振荡回路谐振在1MHz上,回路上并接10kΩ的电阻。(2)测试并记录输出电压v0的峰-峰值。(3)进行频谱分析,分别记录1MHz,2MHz,3MHz频率的谱线值。

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第8题
在图LP2-17所示放大电路中,已知试求T1和T2管的集电极静态电流Ic1,Ic2.

在图LP2-17所示放大电路中,已知试求T1和T2管的集电极静态电流Ic1,Ic2.

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第9题
在图P7.11(a)所示电路中,已知输入电压u1的波形如图(b)所示,当t=0时uc=0.试画出输出电

在图P7.11(a)所示电路中,已知输入电压u1的波形如图(b)所示,当t=0时uc=0.

试画出输出电压uo的波形.

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第10题
在图(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ。G1和G2为CMOS反相器,VDD=15V。 (1)试计算电路的正

在图(a)所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=30kΩ。G1和G2为CMOS反相器,VDD=15V。

(1)试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT+和回差电压△VT

(2)若将图(b)所示的波形加在图(a)所示的施密特触发器的输入端,试画出输出电压的波形。

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第11题
在图LP4-69所示的共集电极电路中,已知晶体三极管在ICQ=2mA时的参数为rbb=50Ω,试求高频

在图LP4-69所示的共集电极电路中,已知晶体三极管在ICQ=2mA时的参数为rbb=50Ω,试求高频电压传递函数的表示式.

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