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[主观题]

电路如图P2.12所示,晶体管的β=80,rbe=1kΩ.(1)求出Q点;(2)分别求出RL=∞和RL=3kΩ时

电路如图P2.12所示,晶体管的β=80,rbe=1kΩ.

(1)求出Q点;(2)分别求出RL=∞和RL=3kΩ时电路的Au、Ri和R0.

电路如图P2.12所示,晶体管的β=80,rbe=1kΩ.(1)求出Q点;(2)分别求出RL=∞和R

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第1题
写出如图2.14(a)~(d)所示各电路输出逻辑函数表达式.设电路中各元件的参数满足使晶体管处于饱和

写出如图2.14(a)~(d)所示各电路输出逻辑函数表达式.设电路中各元件的参数满足使晶体管处于饱和及截止的条件.

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第2题
比例式电流源电路如图LP4-49所示,已知各晶体管特性一致,ΥBE(on)=0.7Υ,β=100,|VA|=120Υ
比例式电流源电路如图LP4-49所示,已知各晶体管特性一致,ΥBE(on)=0.7Υ,β=100,|VA|=120Υ

,试求IC1、IC3和T3侧的输出交流电阻Rs3.

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第3题
晶体管单管放大电路如图(a)所示,其中电阻RB可调,当输入ui、输出uo。的波形如图(b)所示时,输出

晶体管单管放大电路如图(a)所示,其中电阻RB可调,当输入ui、输出uo。的波形如图(b)所示时,输出波形()。

A.出现了饱和失真,应调大RB

B.出现了饱和失真,应调小RB

C.出现了截止失真,应调大RB

D.出现了截止失真,应调小RB

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第4题
测得工作在放大电路中两个晶体管的两个电极电流如图9.4.12所示.(1)求另一个电极电流,并在图中
测得工作在放大电路中两个晶体管的两个电极电流如图9.4.12所示.(1)求另一个电极电流,并在图中

测得工作在放大电路中两个晶体管的两个电极电流如图9.4.12所示.

(1)求另一个电极电流,并在图中标出实际方向;

(2)判别它们各是NPN型还是PNP型,并标出E,B,C电极;

(3)估算它们的值.

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第5题
电路如图题5.2.2所示,设BJT的β=80,VBE=0.6V,ICEO、VCES可忽略不计,试分析当开关S分
别接通A,B,C三位置时,BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域,并求出相应的集电极电流IC

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第6题
CMOS共源放大电路如图题4.11.2(主教材图4.6.8a)所示,将电流源IREF换成电阻RREF。设所有
CMOS共源放大电路如图题4.11.2(主教材图4.6.8a)所示,将电流源IREF换成电阻RREF。设所有

MOS管的|VT|=0.8V,λ=0.01v-1。NMOS管的Kn=80μA/V2,(W/L)T1=15;PMOS管的Kn=40μA/V2,(W/L)T2·T3=30,VDD=5V。试用SPICE分析:(1)流过电阻RREF的电流为0.2mA时,确定电阻RREF的阻值;(2)绘出电压传输特性曲线v0=f(v1),并求当vo位于中点时对应的v1值;(3)求小信号电压增益。

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第7题
求题图7-3所示电路中晶体管的β值。晶体管的结电压为0.7V。

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第8题
求题图7-4所示电路中的I和U0。其中晶体管的结压降为0.7V、β=100。

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第9题
已知图3-20(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图3-20(b)、(c)所示。

已知图3-20(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图3-20(b)、(c)所示。

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第10题
已知图P2.16(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示.求解电路的Q点和Au.

已知图P2.16(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示.求解电路的Q点和Au.

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