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[判断题]

扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的。()

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第1题
把N型和P型半导体有机结后在一起,通过扩散运动在交界处就形成了空间电荷区。()
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第2题
固体中的扩散模型主要有填隙机制和()。

A.自扩散机制

B.杂质扩散机制

C.空位机制

D.菲克扩散方程机制

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第3题
MOS结构半导体表面处于反型区时,表面电荷的改变主要依靠的是漂移与扩散运动。()
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第4题
P型、N型半导体对外都不显电性()

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第5题
N型半导体遇到氧化型气体电阻将()。

A.减小

B.增大

C.不变

D.都有可能

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第6题
温度升高,N型半导体的电阻率()。

A.将增大

B.将减小

C.不变

D.无法判断

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第7题
扩散型被动采集的采样器中,扩散到吸附剂上的总量与物质的浓度梯度、该物质的分子扩散系数、采样器的开口面积以及高度,和采样时间均成正比。()
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第8题
‎将笼子放在实验室外的走廊里,可能会造成疾病扩散到健康的啮齿类动物族群和工作人员。()‎
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第9题
N型半导体中,自由电子多于空穴数,所以它对外呈负电性。()

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第10题
对n沟增强型MOSFET而言,源极接地,半导体表面达到强反型后,___在沟道中______进行输运。

A.空穴,由源端到漏端

B.空穴,由漏端到源端

C.电子,由源端到漏端

D.电子,由漏端到源端

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