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[单选题]

当衬源零偏时,某NMOS管的阈值电压为1V。现将该MOS管衬底接地,源接0.5V,则恰好能使该MOS管开启的栅电位最有可能是()。

A.0.5V

B.1V

C.1.5V

D.1.8V

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第1题
CMOS共源放大电路如图题4.11.2(主教材图4.6.8a)所示,将电流源IREF换成电阻RREF。设所有
CMOS共源放大电路如图题4.11.2(主教材图4.6.8a)所示,将电流源IREF换成电阻RREF。设所有

MOS管的|VT|=0.8V,λ=0.01v-1。NMOS管的Kn=80μA/V2,(W/L)T1=15;PMOS管的Kn=40μA/V2,(W/L)T2·T3=30,VDD=5V。试用SPICE分析:(1)流过电阻RREF的电流为0.2mA时,确定电阻RREF的阻值;(2)绘出电压传输特性曲线v0=f(v1),并求当vo位于中点时对应的v1值;(3)求小信号电压增益。

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第2题
当MOSFET栅极电压未达到阈值电压值时,流过漏极的电流为零。()
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第3题
NMOS管的栅源电压小于开启电压时,NMOS处于()。

A.可变电阻区

B.截止区

C.截止区

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第4题
当工作在恒流区时,N沟道结型场效应管栅极电位()源极电位,PN结()。

A.大于,正偏

B.小于,反偏

C.等于,零偏压

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第5题
试说明MOSFET器件当栅源电压大于阈值电压时器件产生了什么物理现象?

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第6题
串级电流源电路如图题7.1.3所示,NMOS管都工作在饱和放大区,其VTN=0.6V,K'n=μnc01=
160μA/V2,λn=1/10V'L=1μm,W1=W3=4μm,W2=W4=40μm,电路中IREF=20μA,(1)求输出电流I0、T2和T4的VGS2、VGS4,保证电路工作的最小输出电压Vomin的值;(2)求gm2,gm和r02、r04的值,以及电路输出电阻R0的值。

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第7题
短沟道器件的阈值电压往往会随时间漂移,这是由于热载流子效应,一般这个效应使NMOS器件的阈值电压(),使PMOS器件的阈值电压()。‏

A.升高;升高

B.降低;升高

C.降低;降低

D.升高;降低

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第8题
在题4-16图所示电路中,试问:(1)R为多大时,它吸收的功率最大?求此最大功率。(2)当R取得最大功率

在题4-16图所示电路中,试问:

(1)R为多大时,它吸收的功率最大?求此最大功率。

(2)当R取得最大功率时,两个50V电压源发出的功率共为多少?

(3)若R=80,欲使R中电流为零,则a、b间应并接什么元件?其参数为多少?画出电路图。

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第9题
在调校反作用的阀门定位器时,当挡板关住位喷嘴时,输出压力应()。
在调校反作用的阀门定位器时,当挡板关住位喷嘴时,输出压力应()。

A、为零

B、接近气源压力

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第10题
当某消费者对商品X的消费达到饱和点时,他的边际效应为()

A.正值

B. 负值

C. 零

D. 不确定

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