题目内容
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[主观题]
将题10.3图所示电路的相应端点连接起来,构成文氏电桥振荡电路。己知电容为0.1uF,负温度系数电阻
为4kΩ,若要求振荡频率为1.25kHz,试确定电阻R和R1的阻值。
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)所示。电路参数为,Rg1=180千欧,Rg2=60千欧,Rd=10千欧,RL=20千欧,VDD=10V。(1)试用图解法作出直流负载线,决定静态点Q值;(2)作交流负载线;(3)当vi=0.5sinwt(V)时求出相应的v0波形和电压增益。
MOS管的|VT|=0.8V,λ=0.01v-1。NMOS管的Kn=80μA/V2,(W/L)T1=15;PMOS管的Kn=40μA/V2,(W/L)T2·T3=30,VDD=5V。试用SPICE分析:(1)流过电阻RREF的电流为0.2mA时,确定电阻RREF的阻值;(2)绘出电压传输特性曲线v0=f(v1),并求当vo位于中点时对应的v1值;(3)求小信号电压增益。
列出图题5.3.1所示电路的功能表,并与表5.3.1比较,证明该电路的逻辑功能与图5.3.1(a)和图5. 3.3所示的锁存器相同。与图5.3.3所示电路比较,图题5.3.1所示电路有何优点?
c电路中的vi1=0.6V,vi2=0.8V,求各放大电路的输出电压v0和a,b图中各支路的电流。