首页 > 建设工程
题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,()是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度,并计算这些点的刻蚀速率而得到的。

A.选择性

B.均匀性

C.轮廓

D.刻蚀图案

查看答案
答案
收藏
如果结果不匹配,请 联系老师 获取答案
您可能会需要:
您的账号:,可能还需要:
您的账号:
发送账号密码至手机
发送
安装优题宝APP,拍照搜题省时又省心!
更多“刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,()是在晶圆上由测…”相关的问题
第1题
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。

A.n型掺杂区

B.P型掺杂区

C.栅氧化层

D.场氧化层

点击查看答案
第2题
反应离子刻蚀RIE刻蚀时选择最优的刻蚀掺数的组合可以在保证表面光滑和一定的速率和方向性。()
点击查看答案
第3题
在一件衣服上有一个半径为10厘米的圆,现要在这个圆的圆周上均匀地镶上l00颗钻.然后要在这个圆的

A.A.175

B.B.177

C.C. 180

D.D.18l

点击查看答案
第4题
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对()的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

A.二氧化硅

B.氮化硅

C.单晶硅

D.多晶硅

点击查看答案
第5题
为了避免()在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀,必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。

A.多晶硅

B.单晶硅

C.铝硅铜合金

D.铜

点击查看答案
第6题
2012版港澳居民来往内地通行证采用()技术在卡片正背面打印持证人个人信息。

A.高科技

B.激光刻蚀

C.板压式

D.印刷

点击查看答案
第7题
离子束刻蚀是利用具有一定能量的()轰击材料表面,使材料原子发生溅射,从而达到刻蚀目的。

A.电子

B.离子

C.原子

D.分子

点击查看答案
第8题
以下哪一种不属于量子点的外延生长方法________?

A.离子束刻蚀法

B.MOCVD

C.化学气相沉积法

D.MBE

点击查看答案
第9题
下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有()。
下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有()。

A.CF4

B.BCl3

C.Cl2

D.F2

E.CHF3

点击查看答案
第10题
在真空中场强为E 的均匀电场中,有一个与E垂直的半径为R的圆平面S1和另一个任意形状的曲面S
2组成一封闲面.试求:(1)穿过S1面的E通量:(2)穿过S2面的E通量:(3)穿过整个封闭曲面的E 通量;(4)若在封闭曲面内引入一个点电荷q后,已知身过S1的E通量为中,,那么穿过S2的E通量是多少?

点击查看答案
退出 登录/注册
发送账号至手机
密码将被重置
获取验证码
发送
温馨提示
该问题答案仅针对搜题卡用户开放,请点击购买搜题卡。
马上购买搜题卡
我已购买搜题卡, 登录账号 继续查看答案
重置密码
确认修改