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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

设一n沟增强型管VTH=2V，VGS=6V，源端接地，以下说法正确的是（)。

A.VDS=0V时，沟道中各点电位相同，沟道厚度各处相同，IDS=0

B.VDS=2V时，漏端沟道厚度比源端厚，但相差不大可近似看成均匀

C.VDS从2V变为4V时，源端沟道越来越薄，IDS随VDS上升减慢

D.VDS=4V时，沟道进入夹断的临界状态，MOS管由导通变为截止

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更多“设一n沟增强型管VTH=2V，VGS=6V，源端接地，以下说…”相关的问题

第1题

n沟增强型MOS管在栅压为零时，由于氧化层中正电荷的作用，半导体表面为（)状态，开启电压为（)。

A.积累，正值

B.耗尽，正值

C.积累，负值

D.耗尽，负值

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第2题

n沟增强型MOSFET的衬底材料为___半导体，在工作时通常源端接___。

A.n型，电源电压

B.n型，地

C.p型，电源电压

D.p型，地

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第3题

对n沟增强型MOSFET而言，源极接地，半导体表面达到强反型后，___在沟道中______进行输运。

A.空穴，由源端到漏端

B.空穴，由漏端到源端

C.电子，由源端到漏端

D.电子，由漏端到源端

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第4题

抓铲挖土机的适用范围是，挖掘一～三类土，挖掘河床，开挖较深较大的基坑、管沟等。此题为判断题(对，错)。

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第5题

在管道支架安装要求中，管沟敷设时应在距沟口（)m处设支架，热力小室两侧洞口处必须设置滑动支

在管道支架安装要求中，管沟敷设时应在距沟口()m处设支架，热力小室两侧洞口处必须设置滑动支架。

A.0．3

B.0．4

C.0．5

D.0．6

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第6题

在管道支架安装要求中，管沟敷设时应在距沟口（）m处设支架，热力小室两侧洞口处必须设置滑动支架。

A.0.3

B.0.4

C.0.5

D.0.6

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第7题

石油库管道的敷设，应符合下列规定()。

A.石油库围墙以内的输油管道，宜地上敷设;热力管道，宜地上或管沟敷设

B.地上或管沟内的管道，应敷设在管墩或管架上，保温管道应设管托

C.管沟在进入油泵房、灌油间和油罐组防火堤处，必须设阻断墙

D.埋地输油管道的管顶距地面，在耕种地段不应小于0.8m，在其他地段不应小于0.5m

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第8题

缓解柱塞阀凸轮得到最大降程时，使缓解柱塞阀尾端部沟通了（)的通路。

A.管3通管7

B.管2通管4

C.管1通管4

D.管3通管6

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第9题

自阀手把在紧急制动位时，（)沟通了总风缸管3→撒砂管6。

A.调速阀

B.缓解柱塞阀

C.重联柱塞阀

D.客货车转换阀

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第10题

场效应管的输出特性可分为截止区、可变电阻区和恒流区。以NMOS管为例，预夹断轨迹是______和______的分界线，而vGS=VT则是恒流区和______的分界线。

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