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[主观题]

硅突变结雪崩击穿电压与原材料杂质浓度(或电阻率)及半导体层厚度有何关系?

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第1题
一般说来,当势垒区较宽时,即杂质浓度或杂质浓度梯度较小时,容易发生齐纳击穿。反之,则容易发生雪崩击穿。()
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第2题
击穿电压小于4v的属于齐纳击穿,击穿电压高于6v的属于()。

A.雪崩击穿

B.电压击穿

C.电流击穿

D.PN结击穿

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第3题
在PN结中,()容易发生雪崩击穿;()容易发生隧道击穿。
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第4题
PN结雪崩效应和隧道效应引起的击穿统称为电击穿。()
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第5题
当GTR的集电极电压升高至击穿电压时,集电极电流IC迅速增大,这种首先出现的击穿是雪崩击穿,称为()

A.一次击穿

B.反向击穿

C.二次击穿

D.临界饱和

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第6题
当表盘显示二次电流正常或偏大,二次电压升至较低电压时就发生闪络,可能因为()造成的。

A.两极短路

B.电晕极顶部绝缘子室加热装置故障而受潮

C.高压硅整流变压器高压桂堆击穿

D.二次电流取样屏蔽线短路

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第7题
因为硅稳压二极管工作在反向击穿区时,在一定的电流范围内,管子两端的电压近似为恒定值,所以可将稳压二极管并联在负载两端来稳定负载电压。()
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第8题
造成一次电压、一次电流正常,二次电压正常,二次电流为零的故障原因是()。

A.高压桂整流变压器二次电流表测量回路短路

B.高压硅整流变压费二次开路

C.高压硅整流变压器内高压硅堆击穿

D.高压硅整流变压器高压线圈局部短路

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第9题
外延在半导体生产中的作用是()。

A.实现杂质浓度突变

B.优化衬底材料性能

C.设计更加灵活

D.让硅片更厚

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第10题
请解释雪崩击穿和齐纳击穿。

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第11题
高压硅整流变压器内高压硅堆击穿的故障现象有()。

A.—次电压正常,二次电流偏大,一次电压正常,二次电压较低

B.—、二次电压偏低,一次电流很大,二次电流较小

C.一次电压很低,一次电流较大,二次电压接近于零,二次电流很大

D.—次电压、一次电流正常,二次电压正常,二次电流为零

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