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[主观题]

扩散硅压力变送器是基于扩散硅半导体压阻片的()与被测压力成正比的原理工作的。

扩散硅压力变送器是基于扩散硅半导体压阻片的()与被测压力成正比的原理工作的。

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第1题
扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的。()
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第2题
智能式压力变送器是在原变送器(如电容式、扩散硅式)的基础上增加()而形成的。

A.逻辑电路

B.数字芯片

C.集成电路

D.微处理器

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第3题
扩散硅压力变送器零位和量程跨接片接错,会造成()。

A.零位和量程不能调到4mA和20mA

B.输入压力变化时,输出不稳定

C.输入压力不变时,输出摆动

D.无输出

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第4题
ST3000系列智能压力(差压)变送器采用扩散硅应变电阻原理。()
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第5题
扩散硅差压变送器使用中出现输入压力变化时,输出不稳定故障主要是因为仪表本体绝缘电阻不符合要求。()
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第6题
扩散硅差压变送器输出始终低于4mA,有可能是()。

A.桥路电源开路

B.电源接反

C.电流过低

D.电流过高

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第7题
磁浮子液位计是基于所测液位静压与该液体高度成比例的原理,采用国外先进的隔离型扩散硅敏感元件或陶瓷电容压力敏感传感器,将静压转换为电信号,在降温度补偿和线性修正,转化成标准电信号(一般为4-20mA/1-5VDC)。()此题为判断题(对,错)。
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第8题
硅集成电路工艺中,通常采用多晶硅作为掩膜进行选择性扩散。()
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第9题
对于浓度覆盖很宽的杂质原子,可以采用()方法引入到硅片中。

A.离子注入

B.溅射

C.淀积

D.扩散

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第10题
关于多晶硅和非晶硅电池,以下说法错误的是()

A.在扩散运动中,只有注入的少子存在很大的浓度梯度,因此扩散电流主要是由少子贡献。

B.非晶硅对可见光谱的吸收很强,是晶硅的500倍,整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍,因此非晶硅电池可做的很薄。

C.多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的,因此它们的基本结构是相同的。

D.与晶体硅电池相比,非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应),但其光电转化效率随温度升高下降较慢。

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