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[主观题]

已知一个硅突变结,其两边的电阻率分别为ρn=10Ω·cm的n-Si和电阻率为ρp=0.01Ω·cm的p-Si,已知其μn=100cm2/(V·s

已知一个硅突变结,其两边的电阻率分别为ρn=10Ω·cm的n-Si和电阻率为ρp=0.01Ω·cm的p-Si,已知其μn=100cm2/(V·s),μp=300cm2/(V·s),试求其在室温下势垒高度和势垒宽度。

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第1题
硅突变结雪崩击穿电压与原材料杂质浓度(或电阻率)及半导体层厚度有何关系?
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第2题
已知一个正棱台的上下底面面积分别为16,9,高为15,则其体积为()。

A.105

B.555

C.37

D.185

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第3题
现有三块半导体硅材料,已知在室温下(300K)它们的空穴浓度分别为:p01=2.25×1016cm-3,p02=1.5×1010cm-3,p03=2

现有三块半导体硅材料,已知在室温下(300K)它们的空穴浓度分别为:p01=2.25×1016cm-3,p02=1.5×1010cm-3,p03=2.25×104cm-3

(1)分别计算这三块材料的电子浓度n01 、n02、 n03;

(2)判别这三块材料的导电类型;

(3)分别计算这三块材料的费米能级的位置。

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第4题
有一镍铬—镍硅热电偶,已知该热电偶的热电势分别为E(500,20)、E(500,300)、E(300,20)则可得它们之间的关系是()。

A.E(500,20)=E(500,300)-E(300,20)

B.E(500,20)=E(300,20)-E(500,300)

C.E(500,20)=E(500,300)+E(300,20)

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第5题
已知某垄断厂商利用一个工厂生产一种产品,其产品在两个分割的市场上出售,他的成本函数为TC=Q2+40Q。两个市场

已知某垄断厂商利用一个工厂生产一种产品,其产品在两个分割的市场上出售,他的成本函数为TC=Q2+40Q。两个市场的需求函数分别为Q1=12-0.1P1,Q2=20-0.4P2。求:

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第6题
已知两个单链表A与B分别表示两个集合,其元素类型为int且递增排列,其头结点指针分别为a,b。编写一个函数求出A
和B的交集C,要求C同样以元素值递增的单链表形式存储。
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第7题
有一镍铬-镍硅热电偶,已知测得的该热电偶热电势分别为

A.(500,20),E(500,300),E(300,20)则可得它们之间的关系是()。

B.E(500,20)=E(500,300)-E(300,20)

C.E(500,20)=E(300,20)-E(500,300)

D.E(500,20)=E(500,300)+E(300,20)

E.不确定

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第8题
[图] 如图所示,用一K型热电偶测钢水温度。已知A、B分别...

如图所示,用一K型热电偶测钢水温度。已知A、B分别为镍铬、镍硅材料制成,A`、B`为延长导线。问: 1)满足哪些条件时,此热电偶才能正常工作? 2)A、B开路是否影响装置正常工作?原因? 3)采用A`、B`的好处? 4)若已知t01=t02=40℃,电压表示数为37.702mV,则钢水温度为多少? 5)此种测温方法的理论依据是什么?

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第9题
芯片是由半导体材料制作而成的,其基本元器件是:()。

A.硅元素

B.由PN结构成的二极管

C.硅晶圆

D.门电路

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第10题
晶闸管的门极与阴极间内部是一个PN结,判断方法与判断硅二极管极性的方法相同。万用表的欧姆倍率挡使用也相同()
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第11题
一般来说,金属的电阻率随温度的升高而(),硅等纯净半导体和绝缘体的电阻率则随温度的升高而()。
一般来说,金属的电阻率随温度的升高而(),硅等纯净半导体和绝缘体的电阻率则随温度的升高而()。

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