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[判断题]

双极型晶体管发射结势垒区复合以及大注入都会使输入输出特性曲线非理想。（)

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第1题

NPN双极型晶体管具有放大作用，要求基区宽度足够小。原因不包括（)。

A.减少在基区中复合的电子数

B.使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区

C.基区中空穴的扩散长度很小

D.使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界

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第2题

当发射结承受正向电压、集电结承受反向电压时，双极型晶体管的工作状态是（)。

A.饱和状态

B.截止状态

C.放大状态

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第3题

双极型晶体管具有电流放大能力的条件不包括（)。

A.基区宽度足够小

B.发射结正偏

C.集电结反偏

D.发射结及集电结的结电阻足够小

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第4题

在异质结双极型晶体管中，通常将发射结作成异质结，即用宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区。（)

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第5题

双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是（)

A.GTO

B.IGBT

C.GTR

D.MCT

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第6题

门极绝缘双极晶体管又称绝缘门极晶体管，简称（)。习惯性地称其为绝缘栅双极晶体管，或绝缘栅晶体管，它是一种VMOSFET和双极型晶体管的复合器件。

A.TR

B.MOS

C.IGBT

D.DR

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第7题

双极型晶体管工作在线性区时可做开关使用，工作在饱和区时可做放大使用。（)

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第8题

双极型晶体管大注入时，将引起基区电导（)。

A.增加

B.减少

C.先增加后减少

D.不变

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第9题

当获得能量使其自由程大于SiO2厚度时，热电子可以克服Si-SiO2势垒注入栅介质。（)

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第10题

电力晶体管（GTR)是一种双极型低功率晶体管，属于电流控制型元件。（)

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