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[判断题]

在异质结双极型晶体管中，通常将发射结作成异质结，即用宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区。（)

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第1题

双极型晶体管发射结势垒区复合以及大注入都会使输入输出特性曲线非理想。（)

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第2题

当发射结承受正向电压、集电结承受反向电压时，双极型晶体管的工作状态是（)。

A.饱和状态

B.截止状态

C.放大状态

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第3题

双极型晶体管具有电流放大能力的条件不包括（)。

A.基区宽度足够小

B.发射结正偏

C.集电结反偏

D.发射结及集电结的结电阻足够小

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第4题

绝缘栅双极型晶体管（IGBT)综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有低导通压降和高输入阻抗的综合优点。（)

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第5题

在恒流源电路中，双极型晶体管的工作状态是（)。

A.饱和状态

B.截止状态

C.放大状态

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第6题

在双极型晶体管中，提高集电区掺杂浓度可以抑制：（）。

A.集电区穿通效应

B.Early效应

C.基区穿通效应

D.Webster效应

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第7题

NPN双极型晶体管具有放大作用，要求基区宽度足够小。原因不包括（)。

A.减少在基区中复合的电子数

B.使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区

C.基区中空穴的扩散长度很小

D.使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界

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第8题

双极型晶体管工作在线性区时可做开关使用，工作在饱和区时可做放大使用。（)

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第9题

在电学性质上，MOS管的源和漏是可以相互交换的，双极型晶体管的发射极和集电极是可以相互交换的。（)

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第10题

平面双极型晶体管的实际工艺中，基区的掺杂采用杂质总量不变的方法而形成的分布是（)。

A.均匀分布

B.线性分布

C.高斯分布

D.余误差分布

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