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[判断题]

上芯不良品数没有超过该产品框架一列数,打叉后在框架右下角记录该条不良品总数,随当前卡流通,超过一列数的放置在当班尾卡中流通。()

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第1题
以下是导致产品虚焊的因素的有()。

A.框架引脚共面性不良

B.助焊剂过期

C.上芯机参数异常

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第2题
上芯单排产品异常标示方法正确的是()。

A.只标示异常品数量,不打叉

B.框架上下都打叉标示,并记录数量

C.在框架右下角记录打叉数量

D.在框架右上角标示打叉数量

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第3题
上芯后出现卡料及框架变形,()需全部报废。

A.框架本身

B.框架上的产品

C.之前设备加工的产品

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第4题
上芯不良品必须从料盒最低层依次往上插入放置在一个标识料盒中流往压焊,在不良品放置所在料盒盒号处标识并用箭头标识打叉不良品放置方向。()
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第5题
上芯工序首检核对项目()。

A.流程卡加工特征

B.压焊图

C.框架规格型号

D.粘片胶型号

E.流程卡备注要求

F.上芯产品外观品质

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第6题
上芯银浆空洞标准,空洞面积不得超过芯片面积的(),单个空洞出现横穿芯片为不良。

A.0.05

B.0.03

C.0.1

D.0.15

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第7题
曝光商品数与曝光卖家数呈现的是产品市场需求情况。()
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第8题
产品加工过程中,作业员每加工一片晶圆在《晶圆上芯数统计记录》上记录加工数并核对();及()。

A.工单号

B.晶圆批号

C.片号

D.委工单号

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第9题
关于上芯顶针痕迹监控项目,描述正确的有()。

A.上芯顶针痕迹检查频次为1次

B.在监控顶针痕迹时,必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控,不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

C.在100X显微镜下检查顶针痕迹时,如果顶针痕迹不清晰,未造成明显的不良,则判定为合格

D.MOSFET产品在100X显微镜下检查时,如有顶针印记,则判断为不良

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第10题

某试验室通过测评Ⅰ和Ⅱ来核定产品的等级:两项测评都不合格的为次品,仅一项测评合格的为中品,两项测评都合格的为优品。某批产品只有测评Ⅰ合格的产品数是优品数的2倍,测评Ⅰ合格和测评Ⅱ合格的产品数之比为。若该批产品次品率为,则该批产品的优品率为()。

A.10%

B.15%

C.20%

D.25%

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