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[判断题]

在电学性质上,MOS管的源和漏是可以相互交换的,双极型晶体管的发射极和集电极是可以相互交换的。()

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第1题
设一n沟增强型管VTH=2V,VGS=6V,源端接地,以下说法正确的是()。

A.VDS=0V时,沟道中各点电位相同,沟道厚度各处相同,IDS=0

B.VDS=2V时,漏端沟道厚度比源端厚,但相差不大可近似看成均匀

C.VDS从2V变为4V时,源端沟道越来越薄,IDS随VDS上升减慢

D.VDS=4V时,沟道进入夹断的临界状态,MOS管由导通变为截止

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第2题
已知某耗尽型MOS管的夹断电压UP=-2.5V,饱和漏极电流IDSS=0.5mA,求UGS=-1V时的漏极电流ID和跨导gm。

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第3题
当衬源零偏时,某NMOS管的阈值电压为1V。现将该MOS管衬底接地,源接0.5V,则恰好能使该MOS管开启的栅电位最有可能是()。

A.0.5V

B.1V

C.1.5V

D.1.8V

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第4题
电路如图题6.4.5所示,其中VDD=5V,Rsi=2千欧,Rg1=60千欧,Rg2=40千欧,Rd=R≇

电路如图题6.4.5所示,其中VDD=5V,Rsi=2千欧,Rg1=60千欧,Rg2=40千欧,Rd=RL=5.1 千欧,MOS管参数为Kn=0.8mA/V2,VTN=1V,λ=0,Cgn=1pF,Cgd=0.4pF。试求该电路的中频源电压增益ArSM和源电压增益的上限频率fH

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第5题
CMOS共源放大电路如图题4.11.2(主教材图4.6.8a)所示,将电流源IREF换成电阻RREF。设所有
CMOS共源放大电路如图题4.11.2(主教材图4.6.8a)所示,将电流源IREF换成电阻RREF。设所有

MOS管的|VT|=0.8V,λ=0.01v-1。NMOS管的Kn=80μA/V2,(W/L)T1=15;PMOS管的Kn=40μA/V2,(W/L)T2·T3=30,VDD=5V。试用SPICE分析:(1)流过电阻RREF的电流为0.2mA时,确定电阻RREF的阻值;(2)绘出电压传输特性曲线v0=f(v1),并求当vo位于中点时对应的v1值;(3)求小信号电压增益。

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第6题
在城市燃气系统设施工程规划中,确定燃气气源、输配设施和管网管径的最重要依据应是()。A.根据预测

在城市燃气系统设施工程规划中,确定燃气气源、输配设施和管网管径的最重要依据应是()。

A.根据预测年的城市燃气总用气量

B.根据预测年的燃气日用气量和小时用气量

C.根据预测年的民用和工业燃气负荷重量,并适当考虑未预见用气量(如管网漏损量等)

D.根据预测年的燃气资源状况、城市规模、城市环境质量要求和城市经济实力

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第7题
在城市燃气系统设施工程规划中,确定燃气气源、输配设施和管网管径的最重要依据应是下列()。

A.根据预测年的城市燃气总用气量

B.根据预测年的燃气日用气量和小时用气量

C.根据预测年的民用和工业燃气负荷重量,并适当考虑未预见用气量(如管网漏损量等)

D.根据预测年的燃气资源状况,城市规模、城市环境质量要求和城市经济实力。

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第8题
总的量变过程中的部分质变是指()。

A.事物的根本属性没变,比较次要的性质发生了变化,使事物呈现出阶段性

B.事物全局性质没变,某些局部的性质发生了变化

C.新质要素在量上的迅速扩张

D.旧质要素在量上迅速减少

E.质变和量变相互渗透

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第9题
在城市燃气系统设施工程规划中,确定燃气气源、输配设施和管网管径的最重要依据应是下列()。

A.根据预测年的城市燃气总用气量

B.根据预测年的燃气日用气量和小时用气量

C.根据预测年的民用和工业燃气负荷重量,并适当考虑未预见用气量(如管网漏损量等)

D.根据预测年的燃气资源状况,城市规模、城市环境质量要求和城市经济实力。

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第10题
通常人们把烟叶的力学性质、热学性质、电学性质和()统称为烟叶的物理特性。
通常人们把烟叶的力学性质、热学性质、电学性质和()统称为烟叶的物理特性。

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